[发明专利]半导体发光元件及其制造方法有效
| 申请号： | 200880122917.1 | 申请日： | 2008-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN101911317A | 公开（公告）日： | 2010-12-08 |
| 发明（设计）人： | 若井阳平;松村拓明;冈贤治 | 申请（专利权）人： | 日亚化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供可靠性高且配光性良好的半导体发光元件。半导体发光元件(1)具有n侧电极(50)，该n侧电极(50)设置在半导体层叠体(40)的与安装在基板(10)上的面相反侧的光取出面上。在光取出面的第1凸区域(80)和第2凸区域(90)中设有多个凸部。第2凸区域(90)位于第1凸区域(80)与n侧电极(50)之间，且与n侧电极(50)和半导体层叠体(40)之间的界面邻接。相比于n侧电极(50)和半导体层叠体(40)之间的界面，设置在第1凸区域(80)中的第1凸部的基端位于发光层(42)侧，相比于第1凸部的基端，设置在第2凸区域(90)中的第2凸部的基端位于n侧电极(50)和半导体层叠体(40)之间的界面侧。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体发光元件，其具有：半导体层叠体，其在n型半导体层与p型半导体层之间具有发光层；安装该半导体层叠体的基板；以及电极，其设置在所述半导体层叠体的与安装在所述基板上的面相反侧的光取出面上，在所述光取出面上具有多个凸部，该半导体发光元件的特征在于，所述多个凸部设置在第1凸区域和第2凸区域中，所述第2凸区域是这样的区域：其位于所述第1凸区域与所述电极之间，且与所述电极和所述半导体层叠体之间的界面邻接，相比于所述界面，设置在所述第1凸区域中的第1凸部的基端位于所述发光层侧，相比于所述第1凸部的基端，设置在所述第2凸区域中的第2凸部的基端位于所述界面侧。
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