[发明专利]半导体发光元件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体发光元件，其具有：半导体层叠体，其在n型半导体层与p型半导体层之间具有发光层；安装该半导体层叠体的基板；以及电极，其设置在所述半导体层叠体的与安装在所述基板上的面相反侧的光取出面上，在所述光取出面上具有多个凸部，该半导体发光元件的特征在于，

所述多个凸部设置在第1凸区域和第2凸区域中，

所述第2凸区域是这样的区域：其位于所述第1凸区域与所述电极之间，且与所述电极和所述半导体层叠体之间的界面邻接，

相比于所述界面，设置在所述第1凸区域中的第1凸部的基端位于所述发光层侧，

相比于所述第1凸部的基端，设置在所述第2凸区域中的第2凸部的基端位于所述界面侧。

2.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，

所述第1凸部从基端到末端的高度比所述第2凸部从基端到末端的高度高。

3.根据权利要求1或2所述的半导体发光元件，其特征在于，

所述第1凸部和所述第2凸部为末端渐细的形状。

4.根据权利要求1～3中的任一项所述的半导体发光元件，其特征在于，

至少所述第2凸区域被设置为包围所述电极。

5.根据权利要求4所述的半导体发光元件，其特征在于，

所述第1凸区域被设置为包围所述第2凸区域和所述电极。

6.根据权利要求1～5中的任一项所述的半导体发光元件，其特征在于，

所述电极分离地设置在所述光取出面上，在夹在分离地设置的所述电极之间的区域中，具有所述第1凸区域和所述第2凸区域。

7.根据权利要求1～6中的任一项所述的半导体发光元件，其特征在于，

所述第1凸部和所述第2凸部的末端形成为非平坦的形状。

8.根据权利要求1～7中的任一项所述的半导体发光元件，其特征在于，

所述第1凸部和所述第2凸部被设置成，其基端与相邻的凸部的基端邻接。

9.根据权利要求1～8中的任一项所述的半导体发光元件，其特征在于，

在所述第1凸区域中，形成为：所述第1凸部离所述电极越远，则所述第1凸部的基端越接近所述发光层。

10.根据权利要求1～9中的任一项所述的半导体发光元件，其特征在于，

在所述电极与所述半导体层叠体之间的界面处，还具有第3凸部。

11.一种半导体发光元件的制造方法，其特征在于，该制造方法具有以下工序：

形成半导体层叠体，该半导体层叠体在n型半导体层与p型半导体层之间具有发光层；

以朝着阻挡层的层叠方向，使该阻挡层的开口缩小的方式，形成具有所述开口的所述阻挡层，所述开口包围所述半导体层叠体的与安装在基板上的一侧相反侧的、形成光取出面的一个半导体层表面的电极形成预定区域；

从所述阻挡层的上方，向所述半导体层表面层叠掩模材料；

去除层叠了所述掩模材料的阻挡层；以及

将所述电极形成预定区域作为掩模，对所述半导体层表面进行蚀刻。

12.根据权利要求11所述的半导体发光元件的制造方法，其特征在于，

所述掩模材料是电极材料。