[发明专利]半导体存储器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200880122659.7 | 申请日： | 2008-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN101911287A | 公开（公告）日： | 2010-12-08 |
| 发明（设计）人： | 国谷卓司;小森阳介;胜又龙太;福住嘉晃;鬼头杰;木藤大;田中启安;石月惠;青地英明 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/792 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 杨晓光;于静 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 通过在硅衬底上交替地层叠多个介电膜和电极膜形成层叠体。接下来，在层叠体中形成沿层叠方向延伸的通孔。接下来，执行选择性氮化处理，从而在通孔的内表面的与电极膜对应的区域中选择性地形成由氮化硅制成的电荷层。接下来，执行高压氧化处理，从而在电荷层和电极膜之间形成由氧化硅制成的阻止层。接下来，在通孔的内侧表面上形成由氧化硅制成的隧道层。由此，可制造出其中电荷层被分割用于每个电极膜的闪速存储器。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器件，包括：衬底；多个介电膜和电极膜，其交替地层叠在所述衬底上并具有沿层叠方向延伸的通孔；隧道层，其形成在所述通孔的内侧表面上并由介电材料制成；电荷层，其形成在所述隧道层和所述电极膜之间并由与所述隧道层的材料不同的材料制成；阻止层，其形成在所述电荷层和所述电极膜之间并由与所述电荷层的介电材料不同的介电材料制成；以及导体，其掩埋在所述通孔内，所述电荷层被分割用于每个所述电极膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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