[发明专利]非易失性半导体存储器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200880120172.5 | 申请日： | 2008-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN102037557A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 福住嘉晃;胜又龙太;木藤大;鬼头杰;田中启安;小森阳介;石月惠;青地英明 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L27/10;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/792 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 杨晓光;于静 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种非易失性半导体存储器件具有多个存储器串，在每一个存储器串中，多个电可重写的存储器基元被串联连接。每一个所述存储器串包括：第一半导体层，每一个所述第一半导体层都具有沿相对于衬底的垂直方向延伸的柱状部分的对和被形成为耦合所述柱状部分的对的下端的耦合部分；电荷存储层，其被形成为围绕所述柱状部分的侧表面；以及第一导电层，其被形成为围绕所述柱状部分的侧表面和所述电荷存储层。所述第一导电层用作所述存储器基元的栅极电极。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种非易失性半导体存储器件，其具有多个存储器串，在每一个所述存储器串中，多个电可重写的存储器基元被串联连接，每一个所述存储器串包括：第一半导体层，每一个所述第一半导体层都具有沿相对于衬底的垂直方向延伸的柱状部分的对和被形成为耦合所述柱状部分的对的下端的耦合部分；电荷存储层，其被形成为围绕所述柱状部分的侧表面；以及第一导电层，其被形成为围绕所述柱状部分的侧表面和所述电荷存储层，所述第一导电层用作所述存储器基元的栅极电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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