[发明专利]厚膜导电组合物以及用于制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 200880009314.0 | 申请日： | 2008-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN101641796A | 公开（公告）日： | 2010-02-03 |
| 发明（设计）人： | 今野卓哉 | 申请（专利权）人： | E.I.内穆尔杜邦公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 朱黎明 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及厚膜导电组合物，所述厚膜导电组合物包含：a)导电的银粉；b)氧化锌粉；c)无铅玻璃料，其中按总玻璃料计：Bi2O3：＞5mol％，B2O3：＜15mol％，BaO：＜5mol％，SrO：＜5mol％，Al2O3：＜5mol％；以及d)有机介质，其中(氧化锌的含量/银粉的含量)×100大于2.5。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 组合 以及 用于 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.厚膜导电组合物，所述厚膜导电组合物包含：a)导电的银粉；b)氧化锌粉；c)无铅玻璃料，其中按总玻璃料计：Bi2O3＞5mol％B2O3＜15mol％BaO＜5mol％SrO＜5mol％Al2O3＜5mol％；和d)有机介质，其中(所述氧化锌的含量/所述银粉的含量)×100大于2.5。
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