[发明专利]氧化硅薄膜及金属-绝缘体-金属型电容的形成方法有效
| 申请号： | 200810225923.1 | 申请日： | 2008-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN101736314A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 蔡明;邹晓东;徐强 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/40 | 分类号： | C23C16/40;C23C16/455;H01L21/316;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 董立闽;李丽 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氧化硅薄膜的形成方法，包括步骤：提供衬底；将所述衬底放入薄膜沉积室内；对所述沉积室进行抽真空操作；对所述沉积室进行加热操作；向所述沉积室通入硅烷及含氧气体，且所述硅烷及含氧气体的流量比在1∶800至1∶125之间；向所述沉积室引入能量，进行薄膜的沉积；取出已沉积薄膜的所述衬底。本发明还公开了相应的一种金属-绝缘体-金属型电容形成方法。采用本发明的氧化硅薄膜方法形成的金属-绝缘体-金属型电容，降低并稳定了电容的电容电压系数及电容温度系数，改善了电容的动态特性，提高了电容的电性能稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 薄膜 金属 绝缘体 电容 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种氧化硅薄膜的形成方法，其特征在于，包括步骤：提供衬底；将所述衬底放入薄膜沉积室内；对所述沉积室进行抽真空操作；对所述沉积室进行加热操作；向所述沉积室通入硅烷及含氧气体，且所述硅烷及含氧气体的流量比在1∶800至1∶125之间；向所述沉积室引入能量，进行薄膜的沉积；取出已沉积薄膜的所述衬底。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
