[发明专利]氧化硅薄膜及金属-绝缘体-金属型电容的形成方法

权利要求书

1.一种氧化硅薄膜的形成方法，其特征在于，包括步骤：

提供衬底；

将所述衬底放入薄膜沉积室内，其中，所述薄膜沉积室为PECVD 沉积室；

对所述沉积室进行抽真空操作；

对所述沉积室进行加热操作；

向所述沉积室通入硅烷及含氧气体，且所述硅烷及含氧气体的流量 比在1∶800至1∶125之间，其中，所述含氧气体为N₂O气体，所述 N₂O气体的流量在10000sccm至200000sccm之间，所述硅烷的流量在 25sccm至80sccm之间；

向所述沉积室引入能量，进行薄膜的沉积；

取出已沉积薄膜的所述衬底。

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于：所述能量利用高 频的射频电源引入，且所述高频的射频电源的功率在800至1100W之 间。

3.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于：所述沉积室的压 力在2Torr至6Torr之间，温度在300℃至500℃之间。

4.一种金属-绝缘体-金属型电容的形成方法，其特征在于，包 括步骤：

提供衬底；

在所述衬底上形成下电极金属层；

采用等离子体增强型化学气相沉积方法、利用流量比在1∶800至1∶ 125之间的硅烷及含氧气体在所述下电极金属层上沉积电容绝缘层，所 述电容绝缘层为氧化硅层，其中，所述含氧气体为N₂O气体，所述N₂O 气体的流量在10000sccm至200000sccm之间，所述硅烷的流量在 25sccm至80sccm之间；

在所述电容绝缘层上形成上电极金属层；

刻蚀所述上电极金属层，形成金属上电极；

刻蚀所述电容绝缘层和所述下电极金属层，形成电容绝缘体及金属 下电极。

5.如权利要求4所述的形成方法，其特征在于：所述能量利用高 频的射频电源引入，且所述高频的射频电源的功率在800至1100W之 间。

6.如权利要求4所述的形成方法，其特征在于：所述沉积室的压 力在2Torr至6Torr之间，温度在300℃至500℃之间。

7.如权利要求4所述的形成方法，其特征在于：所述上电极金属 层包括钽化物。

8.如权利要求4所述的形成方法，其特征在于：所述下电极金属 层包括金属铝。