[发明专利]半导体元件及其制造方法

摘要

一种半导体元件及其制造方法，能以规定耐压获得规定ON电阻的可实用的降低表面电场型LDMOS。半导体元件具有：半导体层；形成在半导体层上的局部绝缘层；扩散第2导电型杂质而成的漏极层；在从局部绝缘层另一侧隔开的半导体层中扩散第2导电型杂质而成的源极层；形成在从局部绝缘层到源极层的半导体层上的栅电极，还具有：在漏极层下、局部绝缘层下和栅电极下的半导体层中以低浓度扩散第2导电型杂质而成的低浓度扩散层；形成在栅电极与半导体层之间，从栅电极的源极层侧端部向局部绝缘层延伸且不到达局部绝缘层的第1栅极绝缘膜；形成在栅电极与半导体层之间，从局部绝缘层另一侧端向源极层延伸并与第1栅极绝缘膜连接的第2栅极绝缘膜。

主权项

1. 一种半导体元件，其具有：扩散有第1导电型杂质的半导体层；形成在上述半导体层上的局部绝缘层；漏极层，其是在上述局部绝缘层的一侧的上述半导体层中扩散第2导电型杂质而形成的，该第2导电型杂质与上述第1导电型为相反型；源极层，其是在从上述局部绝缘层的另一侧隔开的上述半导体层中扩散上述第2导电型杂质而形成的；以及栅电极，其形成在从上述局部绝缘层上方到上述源极层为止的上述半导体层上，该半导体元件的特征在于具有：低浓度扩散层，其是在上述漏极层下方以及上述局部绝缘层下方和上述栅电极下方的上述半导体层中以低于上述漏极层的浓度扩散上述第2导电型杂质而形成的；第1栅极绝缘膜，其形成在上述栅电极和上述半导体层之间，并从上述栅电极的上述源极层侧的端部朝向上述局部绝缘层延伸且不延伸到上述局部绝缘层；以及第2栅极绝缘膜，其形成在上述栅电极和上述半导体层之间，并且，该第2栅极绝缘膜从上述局部绝缘层的另一侧端部朝向上述源极层延伸与上述第1栅极绝缘膜连接，上述第2栅极绝缘膜的膜厚比上述第1栅极绝缘膜的膜厚要厚且比上述局部绝缘层的一半膜厚要薄。