[发明专利]形成MOS器件的金属栅的混合方法

摘要

本发明涉及半导体器件，包含形成金属氧化物半导体(metal-oxide-semiconductor，简称MOS)器件的金属栅的混合方法。一半导体结构包含一具有一第一栅的第一MOS器件，及一个具有一第二栅的第二MOS器件。该第一栅包括一个设于一半导体基板上的第一高k电介质；一设于该第一高k电介质上的第二高k电介质；一设于该第二高k电介质上的第一金属层，其中该第一金属层主导该第一MOS器件的一功函数；及一设于该第一金属层上的第二金属层。该第二栅包括一设于该半导体基板上的第三高k电介质，其中该第一和第三电介质由相同的材料形成，并具有大致相同的厚度；一设于该第三电介质上的第三金属层，其中该第三金属层和第二金属层由相同的材料形成，并具有大致相同的厚度；及一设于该第三金属层上的第四金属层。

主权项

1. 一种半导体结构包含：一半导体基板；一第一MOS器件，包含一第一栅；其中该第一栅包含：一设于该半导体基板上的第一高k电介质；一设于该第一高k电介质上的第二高k电介质，其中该第一与第二高k电介质包含不同的材料；一设于该第二高k电介质上的第一金属层，其中该第一金属层具有一足够主导该第一MOS器件的一功函数的厚度；及一设于该第一金属层上的第二金属层，其中该第一与第二金属层包含不同的材料；及一第二MOS器件，包含一第二栅；其中该第二栅包含：一设于该半导体基板上第三高k电介质，其中该第一与第三高k电介质包含相同的材料，并具有一大致相同的厚度；一设于该第三高k电介质上的第三金属层，其中该第三与第一金属层包含相同的材料；及一设于该第三金属层上的第四金属层，其中该第三与第四金属层包含不同的材料。