[发明专利]具有存储单元阵列的存储器及其制作方法

摘要

本发明公开了一种具有存储单元阵列的电荷捕捉存储器及其制作方法，该具有存储单元阵列的电荷捕捉存储器包括一电荷捕捉元件，电荷捕捉元件与栅极是经由势垒介电层隔开，该势垒介电层包括与电荷捕捉元件接触的缓冲层以及与栅极及信道其中之一接触的上盖层，其中缓冲层可包括二氧化硅，且其具有高质量。上盖层的介电常数大于缓冲层的介电常数，且其较佳地是包括高介电常数的材料。上盖层也包括相对高的传导带补偿。配合多层势垒介电层，介于信道与电荷捕捉元件之间的能隙工程隧穿层可利用空穴隧穿来提供高速擦除操作。于其它实施例中，可使用单层隧穿层。

主权项

1、一种具有存储单元阵列的存储器，其特征在于，该阵列中的每一存储单元包括：一半导体本体，包括一具有一信道表面的信道，以及邻近该信道的一源极端与一漏极端；一介于一栅极与该信道表面的介电叠层，该介电叠层包括：一隧穿介电层，与该栅极及该信道表面其中之一接触；一邻近该隧穿介电层的电荷捕捉介电层；一邻近该电荷捕捉介电层的势垒介电层，该势垒介电层包括一与该电荷捕捉介电层接触的第一层以及一与该栅极及该信道表面其中之另一接触的第二层，该第一层具有一介电常数κ1，该第二层具有一大于κ1的介电常数κ2，该第二层的厚度小于该第一层的厚度乘以κ2/κ1。