[发明专利]一种低温烧结的高频高介电陶瓷介质材料

摘要

本发明公开了一种低温烧结的高频高介电陶瓷介质材料，由主成份、改性添加剂、烧结助熔剂组成，所述的主成份结构式表示为BaLn₂Ti_3+xO_10+2x，其中1≤x≤2，Ln是稀土元素中的镧La、铈Ce、镨Pr、钕Nd、钐Sm、钆Gd、镝Dy中的一种或几种，所述的改性添加剂是CaO、SrO、MnO、Bi₂O₃、Al₂O₃、TiO₂中的一种或几种；所述的烧结助熔剂是B₂O₃、SiO₂、V₂O₅、ZnO、CuO、Bi₂O₃、BaO中的一种或几种。上述陶瓷介质材料符合COG瓷介特性，且材料均一、粒度分布均匀、分散性高、成型工艺好、符合环保要求，介电特性优良。

主权项

1.一种低温烧结的高频高介电陶瓷介质材料，由主成份、改性添加剂、烧结助熔剂组成，所述的主成份结构式BaLn2Ti3+xO10+2x，其中1≤x≤2，Ln是稀土元素中的镧La、铈Ce、镨Pr、钕Nd、钐Sm、钆Gd、镝Dy中的一种或几种；所述的改性添加剂是CaO、SrO、MnO、Bi2O3、Al2O3、TiO2中的一种或几种；所述的烧结助熔剂是B2O3、SiO2、V2O5、ZnO、CuO、Bi2O3、BaO中的一种或几种。