[发明专利]半导体装置无效

专利信息
申请号: 200810171007.4 申请日: 2008-10-31
公开(公告)号: CN101425517A 公开(公告)日: 2009-05-06
发明(设计)人: 竹村康司;隈川隆博;松岛芳宏 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H01L27/118 分类号: H01L27/118;H01L23/544
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 汪惠民
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 提供一种半导体装置,防止将半导体晶片分割成芯片时,在划片区使用激光开槽方法的情况下,一旦直至扩散层都透过激光,则在扩散层上设置的扩散层导电膜吸收激光,从而因导电膜的溶解及体积膨胀而在扩散层导电膜上的大范围内发生层间绝缘膜的膜剥离。在半导体基板(1)之上交替层叠形成了布线的第1层间绝缘膜(6)和形成了与布线电连接的通孔的第2层间绝缘膜(7),形成具有与布线或通孔电连接的功能元件的多个电路区(2)和在该电路区(2)的周围形成,从半导体基板(1)切出电路区(2)时的切割区即划片区(4)。在划片区(4)中,形成由导电性材料构成的第1伪图案(12)及第2伪图案(13)。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
1、一种半导体装置,由半导体基板、设置在上述半导体基板上的扩散层导电膜、层叠在上述半导体基板之上的层间绝缘膜和设置在上述层间绝缘膜上的布线图案及通孔图案构成,包括:在上述半导体基板上形成的多个电路区,和在上述电路区的周围形成,分离上述各电路区的划片区;在上述划片区中的至少被照射激光的区域中没有形成上述扩散层导电膜。
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