[发明专利]半导体装置、场效应晶体管及其栅极的制造方法有效
| 申请号： | 200810167657.1 | 申请日： | 2008-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN101582379A | 公开（公告）日： | 2009-11-18 |
| 发明（设计）人： | 林正堂;邱永升;王湘仪;余佳霖;余振华 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈 红 |
| 地址： | 台湾省新竹市新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体装置、金属氧化物半导体场效应晶体管及其栅极的制造方法。金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极包含栅极金属层形成在高介电常数介电层之上。利用低含氧量沉积工艺在不以带电离子撞击晶片基板的情形下，形成上述金属栅极。利用上述工艺形成的栅极金属层具有低含氧量，并可避免界面氧化层重新成长。上述形成栅极金属层的工艺可避免对晶片基板造成等离子体损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 场效应 晶体管 及其 栅极 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法，其特征在于，该制造方法包含：形成一高介电常数介电层在一半导体基板上；形成一第一金属层在该高介电常数介电层上，该第一金属层具低含氧量；以及形成一第二金属层在该第一金属层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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