[发明专利]半导体结构及其制造方法

摘要

一种半导体结构包括具有第一掺杂极性和第一晶向的外延表面半导体层，以及具有不同的第二掺杂极性和不同的第二晶向的横向邻近的绝缘体上半导体的表面半导体层。该外延表面半导体层具有有缺陷的第一边缘和没有缺陷的邻接的第二边缘。具有与第一边缘垂直的第一栅极的第一器件和具有与第二边缘垂直的第二栅极的第二器件位于该外延表面半导体层中。第一器件可以包括性能敏感的逻辑器件而第二器件可以包括成品率敏感的存储器件。另外的半导体结构包括另一个具有第一极性和第二晶向的横向邻近的第二绝缘体上半导体的表面半导体层，并且其没有边缘缺陷，以适应于成品率敏感的器件。

主权项

1. 一种半导体结构，包括：衬底，包括具有第一极性和第一晶向的外延表面半导体层，以及横向邻近的绝缘体上半导体的表面半导体层，该绝缘体上半导体的表面半导体层具有与所述第一极性和所述第一晶向不同的第二极性和第二晶向，其中所述外延表面半导体层包括沿着第一边缘但不沿着邻接所述第一边缘的第二边缘的缺陷；第一场效应器件，具有与所述第一边缘垂直的第一栅极；以及第二场效应器件，具有与所述第二边缘垂直的第二栅极。