[发明专利]供太阳能电池用的半导体基板及其制造方法有效
申请号: | 200810147016.X | 申请日: | 2008-08-12 |
公开(公告)号: | CN101651154A | 公开(公告)日: | 2010-02-17 |
发明(设计)人: | 陈敏璋;徐文庆;何思桦 | 申请(专利权)人: | 昆山中辰硅晶有限公司 |
主分类号: | H01L31/02 | 分类号: | H01L31/02;H01L31/18 |
代理公司: | 北京天平专利商标代理有限公司 | 代理人: | 孙 刚 |
地址: | 215300江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种供太阳能电池用的半导体基板及其制造方法。根据本发明的半导体基板包含一基板以及一表面钝化层。该基板具有一上表面。该表面钝化层藉由一原子层沉积制程及/或一电浆辅助原子层沉积制程形成于该基板的该上表面上。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 半导体 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种供一太阳能电池(solar cell)用的半导体基板(semiconductorsubstrate),该半导体基板包含:一基板(substrate),该基板具有一上表面;以及一表面钝化层(surface passivation layer),该表面钝化层由一原子层沉积(atomic layer deposition,ALD)制程、一电浆增强原子层沉积(plasma-enhancedALD)制程或一电浆辅助原子层沉积(plasma-assisted ALD)制程)形成于该基板的该上表面上,该钝化层还可通过一原子层沉积制程和一电浆增强原子层沉积制程或一原子层沉积制程和一电浆辅助原子层沉积制程的组合制程形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的