[发明专利]供太阳能电池用的半导体基板及其制造方法

权利要求书

1.一种供一太阳能电池(solar cell)用的半导体基板(semiconductor substrate)，该半导体基板包含：

一基板(substrate)，该基板具有一上表面；以及

一表面钝化层(surface passivation layer)，该表面钝化层由一原子层沉积(atomic layer deposition，ALD)制程，一层层的形成于该基板的该上表面上，其中在一个原子层沉积的周期内的反应步骤包含：

(1.)利用载送气体将一先驱物(precursor)分子导入反应腔体，在基材表面形成单一层先驱物基；

(2.)通入载送气体将多余未吸附于基材的先驱物分子抽走；

(3.)利用载送气体将另一前驱物(precursor)分子导入反应腔体中，与原本吸附在基材表面的单一层先驱物基，在基材上反应形成单一原子层的薄膜；

(4.)通入载送气体，带走多余的先驱物分子以及反应产生的副产物。

2.如权利要求1所述的半导体基板，其特征在于，该表面钝化层由Al₂O₃、AlN、HfO₂、Hf₃N₄、Si₃N₄、SiO₂、Ta₂O₅、TiO₂、TiN、ZnO、ZrO₂及Zr₃N₄中的其中一种制成。

3.如权利要求1所述的半导体基板，其特征在于，该表面钝化层的沉积是在一介于室温至600℃之间的制程温度下执行。

4.如权利要求3所述的半导体基板，其特征在于，该表面钝化层是在一介于100℃至600℃之间的退火温度下执行退火。

5.如权利要求1所述的半导体基板，其特征在于，该基板的厚度等于或小于300μm。

6.如权利要求5所述的半导体基板，其特征在于，该基板由硅制成。

7.一种制造供一太阳能电池(solar cell)用的半导体基板(semiconductor substrate)的方法，该方法包含下列步骤：

制备一基板(substrate)，该基板具有一上表面；以及

通过一原子层沉积(atomic layer deposition，ALD)制程，在该基板的该上表面上一层层的形成一表面钝化层(surface passivation layer)，其中在一个原子层沉积的周期内的反应步骤包含：

(1.)利用载送气体将一先驱物(precursor)分子导入反应腔体，在基材表面形成单一层先驱物基；

(2.)通入载送气体将多余未吸附于基材的先驱物分子抽走；

(3.)利用载送气体将另一前驱物(precursor)分子导入反应腔体中，与原本吸附在基材表面的单一层先驱物基，在基材上反应形成单一原子层的薄膜；

(4.)通入载送气体，带走多余的先驱物分子以及反应产生的副产物。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，该表面钝化层由Al₂O₃、AlN、HfO₂、Hf₃N₄、Si₃N₄、SiO₂、Ta₂O₅、TiO₂、TiN、ZnO、ZrO₂及Zr₃N₄中的其中一种制成。

9.如权利要求7所述的方法，其特征在于，该表面钝化层的沉积是在一介于室温至600℃之间的制程温度下执行。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，该表面钝化层是在一介于100℃至600℃之间的退火温度下执行退火。

11.如权利要求7所述的方法，其特征在于，该基板的厚度等于或小于300μm。

12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，该基板由硅制成。