[发明专利]半导体存储器件及其制造方法

摘要

本发明涉及一种半导体存储器件及其制造方法。本发明的课题是，抑制SRAM单元的形成面积的增大并谋求工作的稳定。在SRAM单元的存取MOS晶体管Q5的栅电极33上，形成与字线连接的接触45。接触45穿通元件隔离绝缘膜14，抵达SOI层13。驱动MOS晶体管Q1的体区与第1存取MOS晶体管Q5的体区经元件隔离绝缘膜14下方的SOI层13相互电连接。因而，存取MOS晶体管Q5在其栅电极与体区之间形成用接触45连接的DTMOS结构，接触45还与第1驱动晶体管Q1的体区电连接。

主权项

1.一种半导体存储器件，其特征在于，包括：第一和第二负载MOS晶体管；和SRAM单元，具有连接所述第一负载MOS晶体管的栅电极和所述第二负载MOS晶体管的漏区的接触，所述接触连接在所述第一负载MOS晶体管的体区。