[发明专利]薄膜半导体装置及其制造方法

摘要

提供一种能够不以复杂工序在多晶硅膜上形成适合电路特性的n沟道型TFT和p沟道型TFT的薄膜半导体装置及其制造方法。本发明包含在形成于玻璃基板1上的多晶硅膜3上形成n沟道型TFT和p沟道型TFT时，在n沟道型TFT的一部分沟道区中和p沟道型TFT的一部分沟道区中同时引入P型或N型掺杂剂的工序，可以通过1次沟道掺杂形成低VT和高VT的p沟道型TFT组，以及低VT和高VT的n沟道型TFT组，借助于用此方法形成能够减小逻辑、开关电路的关态电流的高VT－TFT，以及能够扩大模拟电路的动态范围的低VT－TFT，求得了薄膜半导体装置性能的提高。

主权项

1.一种差动放大电路，其特征在于：具备差动级和输出放大级，该差动级具有：差动对，以差动方式接受施加至输入对的信号电压；负载元件对，被连接在上述差动对的输出对与第1电源之间、由导电类型与构成上述差动对的晶体管对相反的晶体管对构成；以及电流源，连接在上述差动对与第2电源之间、对上述差动对供给恒定电流，该输出放大级接受上述差动对的输出，从输出端子输出输出信号，上述差动对和/或上述负载元件对由阈值相对低的晶体管对构成，具备起控制上述差动级的激活/非激活的第1开关作用、具有比上述低阈值晶体管的阈值为高的阈值、在上述差动对和上述第2电源之间与上述电流源串联连接、由输入至控制端子的控制信号进行导通/截止控制的晶体管，或者，由具有比上述低阈值晶体管的阈值为高的阈值、由输入至控制端子的控制信号进行导通/截止控制的晶体管构成上述电流源，上述输出放大级具有：连接在上述第1电源与上述输出端子之间、其控制端子接受上述差动对的输出的、阈值相对低的输出级晶体管；以及在上述第1电源与上述输出端子之间，与上述输出级晶体管串联连接、根据上述控制信号以与起上述第1开关作用的晶体管相同相位被导通截止、其阈值比上述低阈值晶体管的阈值高的晶体管。