[发明专利]薄膜半导体装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200810130874.3 申请日: 2003-09-10
公开(公告)号: CN101359899A 公开(公告)日: 2009-02-04
发明(设计)人: 土弘;世良贤二 申请(专利权)人: 日本电气株式会社
主分类号: H03F3/45 分类号: H03F3/45;H01L21/77;G11C7/06;H01L27/12;H03K5/24;H03K19/00
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 孙志湧;李亚
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 薄膜 半导体 装置 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种差动放大电路,其特征在于:

具有:

差动对,以差动方式接受施加至输入对的输入信号;

负载元件对,被连接在上述差动对的输出对与电源之间;

电流源,供给流过上述差动对的电流,以及

开关电路,控制上述负载元件对的激活/非激活,

上述差动对由阈值电压的绝对值相对低的晶体管构成,

上述负载元件对由其控制端子被相互连接在一起、阈值电压的绝对值比上述阈值电压的绝对值相对低的晶体管高的晶体管构成,

上述开关电路具备:

与上述电源和上述负载元件对的连接在一起的上述控制端子相连接、阈值电压的绝对值比上述阈值电压的绝对值低的晶体管高的晶体管构成的第1开关;以及

连接在上述负载元件对之一的晶体管的输出端和上述连接在一起的上述控制端子之间、其阈值电压的绝对值比上述阈值电压的绝对值低的晶体管高的晶体管构成的第2开关,

上述第1和第2开关在上述负载元件激活时分别截止、导通,在上述负载元件非激活时分别导通、截止。

2.如权利要求1所述的差动放大电路,其特征在于:

上述晶体管由在绝缘性基板上的、以结晶硅膜为有源层的薄膜晶体管构成。

3.如权利要求1所述的差动放大电路,其特征在于:

上述晶体管由以在绝缘性基板上形成的多晶硅膜为有源层的薄膜晶体管构成。 

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