[发明专利]一种化合物半导体GaAs单晶的改进型坩埚下降法生长方法有效
| 申请号： | 200810120485.2 | 申请日： | 2008-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN101348940A | 公开（公告）日： | 2009-01-21 |
| 发明（设计）人： | 徐家跃;金敏;胡同兵;何庆波 | 申请（专利权）人： | 杭州上晶光电有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/42 | 分类号： | C30B29/42;C30B11/00 |
| 代理公司： | 杭州中平专利事务所有限公司 | 代理人： | 翟中平 |
| 地址： | 311102浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种化合物半导体砷化镓单晶的改进型坩埚下降法生长方法，将多工位坩埚下降炉用于化合物半导体GaAs单晶的生长，其炉内设计有多个工位，可同时生长多根晶体；先合成好高纯富砷多晶GaAs原料，一般富砷量不多于1mol％；将原料装入底部有种井和籽晶的PBN坩埚内，置于静态稳定坩埚下降炉内；下降炉设计有三个温度区，高温区T1，梯度区T2以及低温区T3，分别承担化料、生长和保温功能；炉温控制在1250～1290℃，调整坩埚位置使籽晶顶部融化，然后以0.2～3mm/h速率下降，开始晶体生长；晶体生长结束后，通过调整坩埚位置和控制炉温，对晶体实行原位退火。优点：融合了现有VB法和VGF法的优点，增加了多坩埚，以提高晶体产率，增加了原位退火方法，以降低热应力引起的位错缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 化合物 半导体 gaas 改进型 坩埚 下降 生长 方法 | ||
【主权项】：
1、一种化合物半导体GaAs单晶的改进型坩埚下降法生长方法，其特征是：(1)将多工位坩埚下降炉用于化合物半导体GaAs单晶的生长，其炉内设计有多个工位，可同时生长多根晶体；(2)先合成好高纯富砷多晶GaAs原料，一般富砷量不多于1mol％；将原料装入底部有种井和籽晶的PBN坩埚内，置于静态稳定坩埚下降炉内；(3)下降炉设计有三个温度区，高温区T1，梯度区T2以及低温区T3，分别承担化料、生长和保温功能；(4)炉温控制在1250～1290℃，调整坩埚位置使籽晶顶部融化，然后以0.2～3mm/h速率下降，开始晶体生长；(5)晶体生长结束后，通过调整坩埚位置和控制炉温，对晶体实行原位退火。
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