[发明专利]采用局部二次掺杂工艺调整变容二极管特性的方法有效
| 申请号： | 200810116044.5 | 申请日： | 2008-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN101621027A | 公开（公告）日： | 2010-01-06 |
| 发明（设计）人： | 王显泰;金智 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/329;H01L21/266 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种采用局部二次掺杂工艺调整变容二极管特性的方法，该方法包括：选择HBT材料的B-C结制作变容二极管，利用HBT中基极层材料的高掺杂特征，使接触金属不经过高温金属化工艺或者快速金属化工艺可形成欧姆接触；采用耐高温和多次加厚的掩膜层来保护无需二次掺杂的区域，利用离子注入设备对变容二极管材料区域进行掺杂元素二次掺杂，调整变容二极管材料区域掺杂组分至适于制作变容二极管的超突变结状态，同时使无需二次掺杂的区域不受该二次掺杂的影响。本发明对需优化性能的二极管器件材料区域进行二次掺杂，同时保护电路其他区域的特性，使在同一片半导体材料可以在满足其他器件需求的同时，可以制作高质量的变容二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 局部 二次 掺杂 工艺 调整 变容二极管 特性 方法 | ||
【主权项】：
1、一种采用局部二次掺杂工艺调整变容二极管特性的方法，其特征在于，该方法包括：选择异质结双极型晶体管HBT材料的B-C结制作变容二极管，利用HBT中基极层材料的高掺杂特征，使接触金属不经过高温金属化工艺或者通过快速金属化工艺可形成欧姆接触；采用耐高温和多次加厚的掩膜层来保护无需二次掺杂的区域，利用离子注入设备对变容二极管材料区域进行掺杂元素二次掺杂，调整变容二极管材料区域掺杂组分至适于制作变容二极管的超突变结状态，同时使无需二次掺杂的区域不受该二次掺杂的影响。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
