[发明专利]双位U型存储器结构及其制作方法有效
| 申请号： | 200810100203.2 | 申请日： | 2008-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN101582454A | 公开（公告）日： | 2009-11-18 |
| 发明（设计）人： | 廖伟明;王哲麒 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L29/423;H01L29/06;H01L27/115;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双位U型存储器结构及其制作方法。本发明披露的存储器其结构特征在于浮动栅极的底部为U型且嵌入在基底中。本发明的存储器结构包含基底；控制栅极，设于基底表面；浮动栅极，设于控制栅极的两侧，其中浮动栅极具有U形底部嵌入于基底中；第一介电层，介于控制栅极与基底之间；第二介电层，介于浮动栅极的U形底部与基底之间；第三介电层，介于控制栅极与浮动栅极之间；局部掺杂区，设于浮动栅极正下方的U形浮动栅极沟道；以及源极/漏极掺杂区，设于浮动栅极的一侧的基底中。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储器元件结构，包含：基底；控制栅极，设于该基底表面；浮动栅极，设于该控制栅极的两侧，其中该浮动栅极具有U形底部嵌入于该基底中；第一介电层，介于该控制栅极与该基底之间；第二介电层，介于该浮动栅极的该U形底部与该基底之间；第三介电层，介于该控制栅极与该浮动栅极之间；局部掺杂区，设于该浮动栅极正下方的U形浮动栅极沟道的周围；以及源极/漏极掺杂区，设于该浮动栅极的一侧的该基底中。
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