[发明专利]半导体发光元件及其制造方法有效
| 申请号： | 200810097739.3 | 申请日： | 2008-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN101312228A | 公开（公告）日： | 2008-11-26 |
| 发明（设计）人： | 神谷真央;长谷川恭孝;户谷真悟 | 申请（专利权）人： | 丰田合成株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 蔡胜有;王春伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体发光元件100及其形成方法，所述半导体发光元件100包括在蓝宝石衬底上依次层叠的缓冲层102、n－型GaN层103、发光层104和p－型层105，并且具有由ITO针状晶体制成的透光电极106。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种通过在衬底上层叠第III族氮化物化合物半导体形成的半导体发光元件，其中在所述半导体发光元件的表面上形成薄膜，所述薄膜由在膜形成过程中形成的氧化铟锡(ITO)针状晶体制成。
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