[发明专利]半导体存储装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200810097657.9 | 申请日： | 2008-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN101312160A | 公开（公告）日： | 2008-11-26 |
| 发明（设计）人： | 高永善 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/768;H01L21/336;H01L21/28;H01L27/115;H01L23/532;H01L29/788;H01L29/43 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 章社杲;李丙林 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在共源极线上实施自对准多晶硅化物处理以减小表面电阻和接触电阻，从而改善单元电流特性。因此，可以减小芯片的尺寸并且可以增加每个晶片的芯片，从而获得高产率。另外，可以在半导体存储装置高度集成和缩小时克服闪存单元的结构限制。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体存储装置的方法，包括：在半导体衬底上形成包括浮置栅极和控制栅极的叠层栅极结构；接着在所述半导体衬底中形成共源极线和漏极区域；接着在包括所述叠层栅极结构、所述共源极线和所述漏极区域的所述半导体衬底上形成绝缘膜，并减小在所述叠层栅极结构的邻近所述共源极线的侧壁处形成的所述绝缘膜的厚度；接着通过蚀刻所述绝缘膜而在所述叠层栅极结构的侧壁上形成隔离件以暴露所述共源极线和所述漏极区域；接着在暴露的所述共源极线的表面上形成硅化物层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
