[发明专利]半导体存储装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200810096687.8 | 申请日： | 2008-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN101276843A | 公开（公告）日： | 2008-10-01 |
| 发明（设计）人： | 渡边浩志;松下大介;村冈浩一;中崎靖;加藤弘一 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L29/51;H01L27/115;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 岳耀锋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种具有隧道绝缘膜的半导体存储装置及其制造方法，即使薄膜化也不会使重复进行写入/擦除时的耐性(耐久特性)恶化。该半导体存储装置包括：半导体衬底(2)；在半导体衬底上形成的第一绝缘膜(6)，该第一绝缘膜包括具有第一氮氧化硅层(8b)、氮化硅层(8a)以及第二氮氧化硅层(8c)的叠层结构的氮氧化硅膜(8)、以及形成在所述氮氧化硅膜上的富硅氧化硅膜(10)；形成在第一绝缘膜上的电荷蓄积层(12)；形成在电荷蓄积层上的第二绝缘膜(14)；和形成在第二绝缘膜上的控制栅极(16)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体存储装置，其特征在于，包括：半导体衬底；在所述半导体衬底上形成的第一绝缘膜，该第一绝缘膜包括：具有第一氮氧化硅层、氮化硅层以及第二氮氧化硅层的叠层结构的氮氧化硅膜，以及形成在所述氮氧化硅膜上的富硅氧化硅膜；形成在所述第一绝缘膜上的电荷蓄积层；形成在所述电荷蓄积层上的第二绝缘膜；和形成在所述第二绝缘膜上的控制栅极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝，未经株式会社东芝许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810096687.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
