[发明专利]具有锗纳米棒的场效应晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 200810086977.4 | 申请日： | 2008-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN101299440A | 公开（公告）日： | 2008-11-05 |
| 发明（设计）人： | 文昌郁;田重锡;李正贤;李来寅;朴连植;李化成;李浩;赵世泳;金锡必 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L29/16;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郭鸿禧;邱玲 |
| 地址： | 韩国京畿道*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有至少一个Ge纳米棒的场效应晶体管以及场效应晶体管的制造方法。该场效应晶体管可以包括：栅极氧化物层，形成在硅基底上；至少一个Ge纳米棒，埋入在栅极氧化物层中，其中，Ge纳米棒的两端被暴露；源电极和漏电极，连接到至少一个Ge纳米棒的相对侧；栅电极，在源电极和漏电极之间形成在栅极氧化物层上。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 纳米 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种场效应晶体管，包括：栅极氧化物层，位于硅基底上；至少一个Ge纳米棒，埋入在栅极氧化物层中，其中，至少一个Ge纳米棒的两端被暴露；源电极和漏电极，连接到Ge纳米棒的相对侧；栅电极，在源电极和漏电极之间位于栅极氧化物层上。
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