[发明专利]具有空气间隙的半导体元件的制造方法

摘要

本发明提供一种具有空气间隙的半导体元件的制造方法，该方法包括以下步骤，提供一牺牲层于一介电层上，且于其中形成多个开口，牺牲层是一毯覆层，且其转换成一可通过一蚀刻组成来蚀刻的材料，介电材料和后续形成的内连接材料则对此蚀刻组成具有蚀刻阻挡的特性。在沉积内连接材料后，提供一包括部分介电材料、转换材料的垂直部分和部分的内连接材料的平坦化表面。以上述蚀刻组成将转换材料移除，形成多个孔洞，于上述的结构上形成一盖层，产生空气间隙。另外，可于内连接结构和牺牲材料间形成一侧壁保护层，在本发明的实施例中，可于介电材料上形成一抗反射层，且抗反射层形成部分的平坦表面。

主权项

1. 一种具有空气间隙的半导体元件的制造方法，包括：形成一半导体结构于一基底上，该半导体结构于至少一材料层中包括多个开口，该材料层对于一蚀刻物具有蚀刻抵抗特性；沉积一毯覆性薄膜于该材料层上方，该毯覆性薄膜沿着所述开口的侧壁包括垂直部分和水平部分；将该毯覆性薄膜大体上全部转换为一转换材料，该转换材料可为该蚀刻物移除；移除所述毯覆性薄膜的水平部分；及将一内连接材料填入所述开口中，该内连接材料对于该蚀刻物具有蚀刻抵抗特性，且提供一包括上表面的结构，该上表面包括至少该材料层、所述垂直部分和该内连接材料的部分。