[发明专利]有机发光二极管显示装置及其制造方法有效
| 申请号: | 200810081586.3 | 申请日: | 2008-03-07 |
| 公开(公告)号: | CN101330094A | 公开(公告)日: | 2008-12-24 |
| 发明(设计)人: | 李在容;金阳完 | 申请(专利权)人: | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L23/522;H01L21/82;H01L21/768 |
| 代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人: | 郭鸿禧;李云霞 |
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明公开了一种有机发光二极管(OLED)显示装置及其制造方法,其中,该OLED显示装置能够将工艺操作的数量和开口率的减小最小化。OLED显示装置包括补偿电路,以补偿驱动晶体管的阈值电压。OLED显示装置的像素电路能够被稳定地驱动,能够利用最小的结构将驱动晶体管的阈值电压最小化,并能够增大显示装置的开口率。 | ||
| 搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种有机发光二极管显示装置,包括:基底,具有第一电容器区、第二电容器区和薄膜晶体管区;第一电容器,设置在基底的第一电容器区上,第一电容器包括具有掺杂有杂质的第一区域的第一半导体层、第一电极和设置在第一半导体层与第一电极之间的第一绝缘层;第二电容器,设置在基底的第二电容器区上,第二电容器包括第二半导体层、第二电极和设置在第二半导体层与第二电极之间的第二绝缘层;薄膜晶体管,设置在基底的薄膜晶体管区上,薄膜晶体管包括具有源极区、漏极区和沟道区的第三半导体层、栅电极、设置在栅电极与沟道区之间的栅极绝缘层、连接到源极区的源电极和连接到漏极区的漏电极;电源电压线,设置在第一电容器上并电连接到第一半导体层的第一区域;有机发光二极管,设置在薄膜晶体管上并包括至少一个有机发射层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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