[发明专利]有机发光二极管显示装置及其制造方法

权利要求书

1.一种有机发光二极管显示装置，包括：

基底，具有第一电容器区、第二电容器区和薄膜晶体管区；

第一电容器，设置在基底的第一电容器区上，第一电容器包括具有掺杂有杂质的第一区域的第一半导体层、第一电极和设置在第一半导体层与第一电极之间的第一绝缘层；

第二电容器，设置在基底的第二电容器区上，第二电容器包括第二半导体层、第二电极和设置在第二半导体层与第二电极之间的第二绝缘层；

薄膜晶体管，设置在基底的薄膜晶体管区上，薄膜晶体管包括具有源极区、漏极区和沟道区的第三半导体层、栅电极、设置在栅电极与沟道区之间的栅极绝缘层、连接到源极区的源电极和连接到漏极区的漏电极；

电源电压线，设置在第一电容器上并电连接到第一半导体层的第一区域；

有机发光二极管，设置在薄膜晶体管上并包括至少一个有机发射层，

其中，薄膜晶体管包括：第一开关晶体管，电连接在数据线与第一节点之间，并响应来自扫描线的扫描信号将来自数据线的数据信号传输到第一节点；第二开关晶体管，电连接在电源电压线与第二节点之间，并响应由控制线施加的控制信号将电源电压传输到第二节点；驱动晶体管，设置在第二节点与有机发光二极管之间，以根据第一节点的电压将驱动电流提供到有机发光二极管，

其中，第一电容器电连接在第一节点与电源电压线之间，第二电容器电连接在第一节点与第二节点之间。

2.如权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层具有相同的晶体结构。

3.如权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，第一绝缘层和第二绝缘层由相同的材料形成。

4.如权利要求3所述的有机发光二极管显示装置，其中，第一绝缘层、第二绝缘层和栅极绝缘层由相同的材料形成。

5.如权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，第一电极的面积比第一半导体层的面积小第一区域的面积。

6.如权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，第一电极和第二电极由相同的材料形成。

7.如权利要求6所述的有机发光二极管显示装置，其中，第一电极、第二电极和栅电极由相同的材料形成。

8.如权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，第一电极电连接到第二电极。

9.如权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，第一半导体层的第一区域与第三半导体层的源极区和漏极区掺杂有相同的杂质。

10.如权利要求9所述的有机发光二极管显示装置，其中，第一半导体层的第一区域与第三半导体层的源极区和漏极区掺杂有P型杂质。

11.一种制造如权利要求1所述的有机发光二极管显示装置的方法，所述方法包括：

在基底的第一电容器区、第二电容器区和薄膜晶体管区中分别形成第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层；

在第一半导体层上形成第一绝缘层；

在第二半导体层上形成第二绝缘层；

在第三半导体层上形成栅极绝缘层；

在与第一半导体层的部分对应的位置上，在第一绝缘层上形成第一电极，以覆盖第一半导体层的部分区域；

在与第二半导体层对应的位置上，在第二绝缘层上形成第二电极，以覆盖第二半导体层；

在与第三半导体层对应的位置上，在栅极绝缘层上形成栅电极，以覆盖第三半导体层的中心部分；

通过利用第一电极、第二电极和栅电极作为掩模来掺杂杂质，从而形成第一半导体层的第一区域与第三半导体层的源极区和漏极区；

在第一电极、第二电极和栅电极上形成层间绝缘层；

在层间绝缘层中形成第一接触孔和第二接触孔，以分别部分暴露第一区域以及源极区和漏极区；

通过第一接触孔形成电源电压线，以连接到第一区域；

通过第二接触孔形成源电极和漏电极，以分别与第三半导体层的源极区和漏极区接触；

在源电极和漏电极以及电源电压线上形成包括至少一个有机层的有机发光二极管，

其中，第一电极电连接到第二电极。

12.如权利要求11所述的方法，其中，通过相同的晶化技术来形成第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层。