[发明专利]一种用于升压电路的电容结构及其形成方法有效
| 申请号： | 200810080772.5 | 申请日： | 2008-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN101515601A | 公开（公告）日： | 2009-08-26 |
| 发明（设计）人： | 丁裕伟;任兴华;江昱德;李仲仁;吴铁将 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/92 | 分类号： | H01L29/92;H01L29/41;H01L27/02;H01L27/108;H01L21/02;H01L21/28;H01L21/82;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于升压电路中的电容结构及其形成方法。该电容结构包含基材、位于基材中的U形下电极、与U形下电极嵌合的T形上电极、以及介于U形下电极以及T形上电极间的介电层。本发明使用立体的技术手段来增加上、下极板间的接触面积，以大幅提高升压电路的电容值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 升压 电路 电容 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于升压电路中的电容结构，包含：基材；下电极，位于该基材中并具有一凹处；上电极，位于该基材上，并与该下电极的该凹处嵌合；以及介电层，介于该下电极以及该上电极之间。
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