[发明专利]一种用于升压电路的电容结构及其形成方法

权利要求书

1.一种用于升压电路中的电容结构，包含：

基材；

下电极，位于该基材中并具有一凹处；

上电极，位于该基材上，并与该下电极的该凹处嵌合；以及

介电层，介于该下电极以及该上电极之间，其中位于该凹处侧壁上的该 介电层向上延伸至超过该下电极，且位于该凹处底部的该介电层具有一第一 均匀厚度，位于该凹处侧壁的该介电层具有一第二均匀厚度，其中该第一均 匀厚度不同于该第二均匀厚度。

2.如权利要求1所述的电容结构，其中该下电极包含经离子掺杂的硅。

3.如权利要求2所述的电容结构，其中该上电极包含经掺杂的多晶硅。

4.如权利要求1所述的电容结构，其中该介电层的厚度介于3.8nm-5nm 之间。

5.如权利要求3所述的电容结构，其中该电容结构进一步包含内间隙 壁，该内间隙壁位于该凹处的介电层的侧壁的部分表面，并介于该介电层以 及该上电极之间。

6.一种电容结构的形成方法，包含：

提供一基材，该基材中包括经离子掺杂的硅，并在该基材上依序形成有 氧化层和第一导体层；

形成一沟槽，该沟槽穿过该第一导体层和该氧化层，并延伸入该基材中；

共形地形成介电层于该沟槽的底面和侧壁；以及

形成第二导体层于该第一导体层和该介电层的表面，并填充该沟槽。

7.如权利要求6所述的方法，其中形成该第二导体层前包括形成间隙壁 层于该沟槽的部分侧壁上。

8.如权利要求6所述的方法，其中该第一导体层和该第二导体层包括经 离子掺杂的多晶硅。