[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200810080661.4 | 申请日： | 2008-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN101257045A | 公开（公告）日： | 2008-09-03 |
| 发明（设计）人： | 北村雄二;井原良和 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置具备：具有倾斜部和平坦部的元件分离膜、不在元件分离膜的倾斜部上形成而在平坦部上形成的保护膜、自被元件分离膜包围的活性区域的表面上横跨保护膜上形成的外部基极层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置，其具备：具有倾斜部和平坦部的元件分离膜；不在所述元件分离膜的倾斜部上形成而在所述平坦部上形成的保护膜；自被所述元件分离膜包围的活性区域的表面上横跨所述保护膜上而形成的外部基极层。
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