[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1、一种半导体装置，其具备：

具有倾斜部和平坦部的元件分离膜；

不在所述元件分离膜的倾斜部上形成而在所述平坦部上形成的保护膜；

自被所述元件分离膜包围的活性区域的表面上横跨所述保护膜上而形成的外部基极层。

2、如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述保护膜的所述活性区域侧的端部配置在自所述元件分离膜的倾斜部及平坦部的边界部分朝向所述活性区域的相反侧隔开规定间隔的位置。

3、如权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述保护膜包含氧化硅膜和形成于所述氧化硅膜上的多晶硅膜，

所述氧化硅膜的端部及所述多晶硅膜的端部位于所述元件分离膜的平坦部上。

4、如权利要求3所述的半导体装置，其中，所述保护膜的多晶硅膜的端部比所述氧化硅膜的端部靠所述活性区域侧。

5、如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述外部基极层在所述平坦部的未形成所述保护膜的区域上、所述倾斜部的表面上、所述保护膜的表面上形成。

6、如权利要求1所述的半导体装置，其中，还具备在所述平坦部及所述倾斜部的表面上和所述保护膜的表面上形成的底层，

在所述底层的表面上形成有所述外部基极层。

7、如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述外部基极层至少含有SiGe层。

8、如权利要求7所述的半导体装置，其中，

所述外部基极层包含所述SiGe层和形成于所述SiGe层上的硅膜，

在所述外部基极层的硅膜上形成有硅化物膜。

9、如权利要求7所述的半导体装置，其中，所述保护膜包含氧化硅膜和形成于所述氧化硅膜上的多晶硅膜，并且，所述保护膜的多晶硅膜和所述外部基极层的SiGe层接触。

10、一种半导体装置的制造方法，其包括：

在半导体衬底上形成具有倾斜部和平坦部的元件分离膜的工序；

按照不在所述元件分离膜的倾斜部上形成而在所述平坦部上形成的方式形成保护膜的工序；

按照自被所述元件分离膜包围的活性区域的表面上横跨所述保护膜上的方式形成外部基极层的工序。

11、如权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其中，形成所述保护膜的工序包括：按照将所述保护膜的所述活性区域侧的端部配置在自所述元件分离膜的倾斜部及平坦部的边界部分朝向所述活性区域的相反侧隔开规定间隔的位置的方式形成所述保护膜的工序。

12、如权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其中，形成所述外部基极层的工序包括：在所述平坦部的未形成所述保护膜的区域上、所述倾斜部的表面上、所述保护膜的表面上形成所述外部基极层的工序。

13、如权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其中，还包括在所述平坦部及倾斜部的表面上和所述保护膜的表面上形成底层的工序，

形成所述外部基极层的工序包括在所述底层的表面上形成所述外部基极层的工序。

14、如权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其中，所述外部基极层至少含有SiGe层。

15、如权利要求14所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述外部基极层包含所述SiGe层和形成于所述SiGe层上的硅膜，

且该制造方法还包括在所述外部基极层的硅膜上形成硅化物膜的工序。

16、如权利要求14所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述保护膜含有氧化硅膜和形成于所述氧化硅膜上的多晶硅膜，

且形成所述保护膜的工序包括按照使所述保护膜的多晶硅膜与所述外部基极层的SiGe层接触的方式形成所述保护膜的工序。

17、如权利要求16所述的半导体装置的制造方法，其中，形成所述保护膜的工序包括：在利用干式蚀刻进行构图所述多晶硅膜以使端部位于所述平坦部上后，以构图后的所述多晶硅膜为掩模，利用湿式蚀刻构图所述氧化硅膜，以使所述氧化硅膜的端部位于所述平坦部上的工序。