[发明专利]光子雪崩机制Zn和Er双掺杂铌酸锂晶体上转换材料及其制备方法无效
| 申请号： | 200810064778.3 | 申请日： | 2008-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN101328613A | 公开（公告）日： | 2008-12-24 |
| 发明（设计）人： | 王锐;王佳;刘维海;徐超;徐衍岭 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C30B29/30 | 分类号： | C30B29/30;C30B15/04 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 | 代理人： | 金永焕 |
| 地址： | 150001黑龙江*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 光子雪崩机制Zn和Er双掺杂铌酸锂晶体上转换材料及其制备方法，它涉及一种铌酸锂晶体上转换材料及其制备方法。它解决了现有技术制备的Er掺杂铌酸锂晶体上转换材料存在发光强度不高的问题。本发明光子雪崩机制Zn和Er双掺杂铌酸锂晶体上转换材料由Li2CO3、Nb2O5、ZnO和Er2O3制成。方法：1.称取所需成分；2.烧结；3.采用提拉法生长晶体；4.极化处理，即得光子雪崩机制Zn和Er双掺杂铌酸锂晶体上转换材料。本发明在Er掺杂铌酸锂晶体中掺杂元素Zn，使其上转换机制由双光子过程改变为光子雪崩机制，明显提高了铌酸锂晶体上转换材料的发光强度。 | ||
| 搜索关键词： | 光子 雪崩 机制 zn er 掺杂 铌酸锂 晶体 转换 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、光子雪崩机制Zn和Er双掺杂铌酸锂晶体上转换材料，其特征在于光子雪崩机制Zn和Er双掺杂铌酸锂晶体上转换材料由Li2CO3、Nb2O5、ZnO和Er2O3制成；其中Li2CO3和Nb2O5的摩尔比为0.85～1.38∶1，ZnO的掺杂浓度为2～8mol％，Er2O3的掺杂浓度为0.5～2mol％。
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