[发明专利]一种适合氮化硅晶须生长的方法无效
| 申请号： | 200810062734.7 | 申请日： | 2008-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN101319401A | 公开（公告）日： | 2008-12-10 |
| 发明（设计）人： | 陈建军;王耐艳;金达莱;高林辉;杜平凡 | 申请（专利权）人： | 浙江理工大学 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B29/62;C01B21/068 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 林怀禹 |
| 地址： | 310018浙江省杭州市江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种适合氮化硅晶须生长的方法。以合金(铁族)化的硅熔体为溶液，氮气或氨气为反应气，温度在1500－1800℃的范围内，真空度在0.01Pa－10Pa范围内采用溶液法生长氮化硅晶须。本发明生长的Si3N4晶须纯度高，Si3N4晶须的长度长，能达到几个毫米；Si3N4晶须生长过程中反应相的蒸汽压容易控制，确保低的蒸汽压；生长Si3N4晶须的成本很低；不存在环境污染、制备设备简单。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 适合 氮化 须生 方法 | ||
【主权项】：
1.一种适合氮化硅晶须生长的方法，其特征在于该方法的步骤如下：铁族-Si合金熔体，Si原子百分数为50％-70％，原料置于石墨坩锅内，然后盖上同样直径大小的石墨片于装有原料的坩锅上，将这个装置放入真空高温烧结炉内，抽真空至0.01Pa，然后充高纯氮气到400Pa，关闭真空泵，1500℃-1800℃下保温1-3个小时，保温结束后以关掉电源自然冷却至室温，反应结束后，在石墨片及坩埚内壁上生成相当数量的Si3N4晶须。
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