[发明专利]倾斜沟槽的制备方法有效
| 申请号： | 200810044120.6 | 申请日： | 2008-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN101752203A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 肖胜安 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/30;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种倾斜沟槽的制备方法，其主要包括：利用掩膜层在硅衬底上刻蚀形成沟槽，经过倾斜离子注入，热氧化和热氧化膜去除等。本发明的倾斜沟槽的制备方法，通过调整离子注入工艺和热氧化工艺，可得到倾斜沟槽倾斜角范围为80-90度。 | ||
| 搜索关键词： | 倾斜 沟槽 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种倾斜沟槽的制备方法，其特征在于，在表面至少有一掩膜层的硅衬底上刻蚀形成沟槽之后，包括如下步骤：1)对所述沟槽进行旋转的倾斜离子注入，所述离子注入的条件根据所述需要获得的沟槽的倾斜角度来设定；2)接着进行氧化处理，使沟槽侧壁的硅氧化为氧化硅；3)去除所述硅衬底上的掩膜层，和所述沟槽侧壁的氧化硅，得到沟槽侧壁比步骤二中所刻蚀的沟槽侧壁倾斜的沟槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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