[发明专利]倾斜沟槽的制备方法

权利要求书

1.一种倾斜沟槽的制备方法，所述倾斜沟槽的开口宽度大于沟槽的底 部宽度，其特征在于，在表面至少有一掩膜层的硅衬底上刻蚀形成沟槽之 后，包括如下步骤：

1)对所述沟槽进行旋转的倾斜离子注入，所述离子注入的条件根据需 要获得的所述沟槽的倾斜角度来设定，所注入的离子为磷、砷、硼、锗或 硅中的任一种或为包含上述任一种离子的物质；

2)接着进行氧化处理，使沟槽侧壁的硅氧化为氧化硅；

3)去除所述硅衬底上的掩膜层和所述沟槽侧壁的氧化硅，得到沟槽侧 壁比步骤2)中的沟槽侧壁倾斜的沟槽。

2.按照权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述步骤2)之前还 包括对进行离子注入后的硅片进行高温处理使所述注入的离子再分布的步 骤。

3.按照权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于：所述掩膜层为介 质层或光刻胶层；当所述掩膜层为光刻胶层时，所述步骤3)中去除硅衬底 上的掩膜层调整为在步骤1)之后步骤2)之前进行。

4.按照权利要求1或2所述的制备方法，特征在于：所述步骤1)中注 入为多次离子注入条件不同的注入。