[发明专利]用于铜互连的Ta－Al－N扩散阻挡层薄膜及其制备工艺

摘要

本发明公开了一种用于铜互连的Ta－Al－N扩散阻挡层薄膜，其特征在于，其质量百分比为1.5％～7.8％的Al、8.4％～11.5％的N和余量为Ta，用多靶磁控溅射方法制备而成。本发明还公开了一种制备该Ta－Al－N扩散阻挡层薄膜的工艺，具体来说采用磁控溅射法来制备。该Ta－Al－N薄膜经900℃退火5分钟后，其阻挡特性才失效。与传统Ta－N或Ta/Ta－N阻挡层相比，本发明的Ta－Al－N薄膜在保持了传统阻挡层材料良好黏附性和低电阻率的同时，由于少量Al的加入，可有效提高其阻挡性能；同时少量Al的存在，使薄膜表面易于形成极薄的氧化铝薄层，有效避免了阻挡层的氧化。

主权项

1、一种用于铜互连的Ta-Al-N扩散阻挡层薄膜，其特征在于，其组分为质量百分比为1.5％～7.8％的Al，8.4％～11.5％的N，余量为Ta，用多靶磁控溅射方法制备而成。