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[发明专利]一种圆检测方法、装置、计算机设备和存储介质-CN202211397781.3在审
发明人：邓宏贵;兰昕;李幼真;欧昀 -专利权人：中南大学
申请日： 2022-11-09 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： G06T7/13 文献下载
摘要：本申请涉及一种圆检测方法、装置、计算机设备和存储介质。该方法包括：根据对称轴互相垂直的卷积算子计算得到边缘点集对应图像的第一和第二方向梯度矩阵；获取当前在第一方向梯度矩阵中随机采样得到的第一边缘点和当前在第二方向梯度矩阵中对第一边缘点的第三和第四方向分别进行搜索得到的第二和第三边缘点，根据三个边缘点确定对应的随机圆的圆参数，其中第三方向和第四方向互相垂直；当圆参数满足圆参数验证条件时，判定对应的随机圆为候选圆，根据圆参数构建候选圆的验证区域，当验证区域内的边缘点满足边缘点验证条件，判定对应的候选圆为真圆。采用本方法能够兼顾圆检测的效率和准确率。
一种检测方法装置计算机设备存储介质

[发明专利]RIS辅助的MIMO系统的离散相移设计方法和装置-CN202210670834.8在审
发明人：邓宏贵;张文涓;李幼真;朱早星 -专利权人：中南大学
申请日： 2022-06-15 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H04B7/0413 文献下载
摘要：本申请涉及无线通信技术领域的一种RIS辅助的MIMO系统的离散相移设计方法和装置。所述方法包括：建立RIS辅助的MIMO通信系统，获取MIMO通信系统的目标函数；以MIMO通信系统频谱效率最大化为目标推导出离散相移矩阵设计最优化问题；通过混沌离散缎蓝园丁鸟优化算法搜索最优离散相移矩阵；本发明将经典的缎蓝园丁鸟优化算法的种群混沌化，降低了算法陷入局部最优解的概率，使得收敛速度加快，并且扩展到搜索目标离散域的场景。与随机RIS相移方案，基于LS的离散相移方案相比，本发明所提出的RIS反射单元离散相移设计方法能够有效地提高系统的频效性能，与穷举搜索法相比，该方法大大降低了计算复杂度。
ris 辅助 mimo 系统离散相移设计方法装置

[发明专利]一种基于多目标优化模型的异构网络垂直切换算法及系统-CN201911222416.7有效
发明人：邓宏贵;王书敏;李幼真;封雨鑫 -专利权人：中南大学
申请日： 2019-12-03 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H04W36/14 文献下载
摘要：本发明涉及异构网络技术领域，公开了基于多目标优化模型的异构网络垂直切换算法及系统，以提高异构网络系统的资源利用率和保证用户的服务质量需求，本发明的算法包括根据相关参数计算异构网络中反映各基站在不同状态下性能特征的Gittins指数，并生成异构网络中的Gittins矩阵；计算用户在切换执行前的传输速率矩阵和误码率矩阵；设置用于反映用户切换策略的矩阵变量；以Gittins矩阵、传输速率矩阵和误码率矩阵为参数，以矩阵变量为决策变量构建多目标优化模型；求解出多目标优化模型中的矩阵变量以确定最优的切换策略。
一种基于多目标优化模型网络垂直切换算法系统

[发明专利]一种粉末冶金金属硅太阳能电池衬底制备工艺-CN200810031498.2有效
发明人：周继承;赵保星;李幼真;陈勇民;李莉;荣林艳 -专利权人：中南大学
申请日： 2008-06-16 - 公布日： 2008-10-29 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种粉末冶金金属硅太阳能电池衬底制备工艺，将3N及以下的金属硅原材料经过制粉、成型与烧结，制成特定形状的金属硅锭子，而后切割成300～500微米厚的薄膜太阳能电池衬底。该工艺制备之衬底经特殊扩阻挡层处理后，可用作直接生长大晶粒高质量多晶硅、非晶硅薄膜的衬底。衬底和薄膜的热膨胀系数匹配，避免了高温或冷却过程中薄膜开裂和剥落。本工艺采用的原料成本低、工艺简单并适于大规模工业生产。它的开发成功为薄膜太阳能电池工业化打下了坚实基础。
一种粉末冶金金属硅太阳能电池衬底制备工艺

[发明专利]一种基于熔铸法的金属硅太阳能电池衬底制备工艺-CN200810031499.7无效
发明人：周继承;赵保星;李幼真;陈勇民;李莉;荣林艳 -专利权人：中南大学
申请日： 2008-06-16 - 公布日： 2008-10-29 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于熔铸法的金属硅太阳能电池衬底制备工艺。将3N及以下的金属硅粉在1600℃温度下通过高温熔铸方法制成硅棒，而后将硅棒切割成薄膜太阳能电池用薄片衬底。该工艺制备之衬底经特殊杂质外扩阻挡层处理后，可用作直接生长大晶粒高质量多晶硅、非晶硅薄膜的衬底。衬底和薄膜的热膨胀系数匹配，避免了高温或冷却过程中薄膜开裂和剥落，更重要的是原料成本低、工艺简单并便于大规模工业生产。它的开发成功为薄膜太阳能电池工业化打下了坚实基础。
一种基于熔铸金属硅太阳能电池衬底制备工艺

[发明专利]用于铜互连的Ta－Al－N扩散阻挡层薄膜及其制备工艺-CN200810031500.6无效
发明人：周继承;李幼真;赵保星;陈海波;刘正;陈勇民 -专利权人：中南大学
申请日： 2008-06-16 - 公布日： 2008-10-29 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于铜互连的Ta－Al－N扩散阻挡层薄膜，其特征在于，其质量百分比为1.5％～7.8％的Al、8.4％～11.5％的N和余量为Ta，用多靶磁控溅射方法制备而成。本发明还公开了一种制备该Ta－Al－N扩散阻挡层薄膜的工艺，具体来说采用磁控溅射法来制备。该Ta－Al－N薄膜经900℃退火5分钟后，其阻挡特性才失效。与传统Ta－N或Ta/Ta－N阻挡层相比，本发明的Ta－Al－N薄膜在保持了传统阻挡层材料良好黏附性和低电阻率的同时，由于少量Al的加入，可有效提高其阻挡性能；同时少量Al的存在，使薄膜表面易于形成极薄的氧化铝薄层，有效避免了阻挡层的氧化。
用于互连 ta al 扩散阻挡薄膜及其制备工艺