[发明专利]用于铜互连的Ta－Al－N扩散阻挡层薄膜及其制备工艺

权利要求书

1、一种用于铜互连的Ta-Al-N扩散阻挡层薄膜，其特征在于，其组分为质量百分比为1.5％～7.8％的Al，8.4％～11.5％的N，余量为Ta，用多靶磁控溅射方法制备而成。

2、如权利要求1所述的用于铜互连的Ta-Al-N扩散阻挡层薄膜，其特征在于，其方块电阻为120～500Ω/□。

3、如权利要求1或2所述的用于铜互连的Ta-Al-N扩散阻挡层薄膜，其特征在于，所述的用于铜互连的Ta-Al-N扩散阻挡层薄膜为非晶态。

4、一种制备如权利要求1所述用于铜互连的Ta-Al-N扩散阻挡层薄膜的工艺，其特征在于，包括以下步骤：

1)在多靶磁控溅射仪中同时安装Ta靶、Cu靶、Al靶；其中Ta靶和Cu靶在直流溅射位，Al靶在射频溅射位，将硅片清洗烘干后安装在基片位置上；充入气流，控制氮气占气流总流量的5～10％；

2)采用磁控溅射法原位制备Ta-Al-N薄膜。

5、如权利要求4所述的一种制备用于铜互连的Ta-Al-N扩散阻挡层薄膜的工艺，其特征在于，在原位制备Ta-Al-N薄膜时，将气流的气压稳定在0.9～1.2Pa。

6、如权利要求4所述的一种制备用于铜互连的Ta-Al-N扩散阻挡层薄膜的工艺，其特征在于，在原位制备Ta-Al-N薄膜时，将基片旋转。

7、如权利要求4～6任一项所述的一种制备用于铜互连的Ta-Al-N扩散阻挡层薄膜的工艺，其特征在于，步骤1)中所述的将硅片清洗为：用去离子水、超声波、无水乙醇和丙酮对硅片进行清洗，或者用去离子水、超声波和无水乙醇对硅片进行清洗。