[发明专利]用于半导体材料气相淀积生长系统的氮源离化方法和装置无效
| 申请号： | 200810018876.3 | 申请日： | 2008-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN101307485A | 公开（公告）日： | 2008-11-19 |
| 发明（设计）人： | 谢自力;张荣;陶志阔;崔旭高;刘斌;陈鹏;修向前;韩平;赵红;施毅;郑有炓 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | C30B25/14 | 分类号： | C30B25/14;C30B29/38 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 | 代理人： | 汤志武;王鹏翔 |
| 地址： | 210093*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 用于半导体材料气相淀积生长系统的氮源离化方法，在CVD、MOCVD、HVPE以及MBE等半导体材料生长系统中采用外加射频场的方式对氮源进行离化。采用高频电流加到电容或电感线圈的电极上，通过平行电容板间或电感线圈对其包围的气路进行高频电场的施加；加速电子，离化气体分子，从而产生等离子体。装置包括金属法兰(1)、冷却水管路(2)、石英外罩(3)、石英整流罩(5)、金属盖(6)、平等板电容器(7)、热电偶(8)、石墨(9)、抽气孔(10)、射频匹配器(11)、射频功率源(12)、进气口的(13)构成，金属法兰(1)和金属盖(6)装在石英外罩(3)的两端，在包围进气口(13)气路上或生长平台的气路上设有电容或电感耦合元件。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体材料 气相淀积 生长 系统 氮源离化 方法 装置 | ||
【主权项】：
1、用于半导体材料气相淀积生长系统的氮源离化方法，其特征是在CVD、MOCVD、HVPE以及MBE等半导体材料生长系统中采用外加射频场的方式对氮源进行离化。
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