[发明专利]一种p型ZnO纳米线的制备方法

摘要

一种p型ZnO纳米线的制备方法，属于半导体掺杂技术领域，本发明涉及p型ZnO纳米线的掺杂技术，特别涉及一种采用化学气相沉积技术利用砷化物作为ZnO的p型掺杂剂的掺杂技术。其特征是采用砷化物做为p型ZnO的掺杂源，利用化学气相沉积方法制备砷掺杂p型ZnO纳米线。在加热温度为400℃～700℃时，通过调节砷化物与锌摩尔比值来控制砷掺入ZnO的比例进行p型ZnO的生长。本发明的效果与益处是提供一种简便有效的制备高质量、可控性强的p型ZnO纳米线的生长技术，克服p型ZnO纳米线掺杂困难的难题，进而实现ZnO纳米线的p－n结型光电器件。

主权项

1.一种p型ZnO纳米线的制备方法，其特征是步骤如下：(1)对高纯的锌粉与砷的化合物的粉末按质量比2/1～100/1进行称量后，放入石英坩埚内，与清洗过的衬底一同放入化学气相沉积系统的石英管内；(2)将石英管内的压力控制在1000Pa以下，开始加热至400～700℃范围内某一温度点。通入氧气，其流量为50-500ml/min，开始纳米线的生长；(3)根据所需的ZnO纳米线长度控制生长时间，生长速度为0.1～10μm/h；(4)生长完成后，关闭氧气，关闭衬底加热丝，缓慢降温到100℃以下取出样品。