[发明专利]一种p型ZnO纳米线的制备方法无效
| 申请号： | 200810011047.2 | 申请日： | 2008-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN101319369A | 公开（公告）日： | 2008-12-10 |
| 发明（设计）人： | 冯秋菊;李梦柯;宋哲;张楠 | 申请（专利权）人： | 辽宁师范大学 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;C30B29/62;C30B25/00;C01G9/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 116029辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 zno 纳米 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种p型ZnO纳米线的制备方法，其特征是步骤如下：
(1)对高纯的锌粉与砷的化合物的粉末按质量比2/1～100/1进行称量后，放入石英坩埚内，与清洗过的衬底一同放入化学气相沉积系统的石英管内；
(2)将石英管内的压力控制在1000Pa以下，开始加热至400～700℃范围内某一温度点，通入氧气，其流量为50-500ml/min，开始纳米线的生长；
(3)根据所需的ZnO纳米线长度控制生长时间，生长速度为0.1～10μm/h；
(4)生长完成后，关闭氧气，关闭衬底加热丝，缓慢降温到100℃以下取出样品。
2.根据权利要求1所述的一种p型ZnO纳米线的制备方法，其特征是利用化学气相沉积技术，采用砷的高蒸汽压化合物为掺杂源，砷的化合物可以是砷化铟、砷化镓及砷化锌一种或几种混合物来制备砷掺杂p型ZnO纳米线。
3.根据权利要求1所述的一种p型ZnO纳米线的制备方法，其特征是所说的衬底是蓝宝石或Si或GaAs或InP或CaF2或石英或玻璃或金属衬底。
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