[发明专利]具有薄化结构的半导体发光元件及其制造方法有效
| 申请号： | 200810003245.4 | 申请日： | 2008-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN101499505A | 公开（公告）日： | 2009-08-05 |
| 发明（设计）人： | 谢明勋;吕志强;王健源;陈彦文;叶瑞鸿;洪世钦;涂育维;吴俊毅;彭韦智 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种具有薄化结构的发光元件及其制造方法。该发光元件包含半导体发光结构、载体及薄化结构形成于半导体发光结构及载体之间。其制造方法包括以下步骤：形成多层半导体发光结构于基板上；贴合该多层半导体结构至支撑体；薄化该基板以形成薄化结构；形成或接合载体至该薄化结构；以及移除该支撑体。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 结构 半导体 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体发光元件，包含：薄化结构，具有第一表面及第二表面；半导体发光结构形成于该薄化结构的第一表面；以及载体形成于该薄化结构的第二表面；以及至少一沟道形成于该薄化结构内。
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