[发明专利]用于半导体集成电路设备的缺陷分析方法和缺陷分析系统无效
| 申请号： | 200810003193.0 | 申请日： | 2008-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN101241770A | 公开（公告）日： | 2008-08-13 |
| 发明（设计）人： | 李钟弦 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C29/50 | 分类号： | G11C29/50;G11C29/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 黄启行;穆德骏 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本申请涉及用于半导体集成电路设备的缺陷分析方法和缺陷分析系统。一种缺陷分析方法，包括在数据库中存储指示缺陷的数据并且在数据库中存储对应的缺陷位的模拟特性。找到第一晶片中的第一缺陷区域，并且测量第一缺陷区域中的缺陷位的模拟特性。比较测得的模拟特性和数据库中存储的模拟特性，以定位引起第一缺陷区域的缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 集成电路 设备 缺陷 分析 方法 系统 | ||
【主权项】：
1.一种缺陷分析方法，包括：在数据库中存储至少一个第一缺陷和至少一个关联的模拟特性；定位第一晶片中的第一缺陷区域；测量所述第一缺陷区域中的至少一个第一缺陷位的至少一个模拟特性；以及将至少一个测得的模拟特性同至少一个存储的模拟特性比较，以确定所述至少一个第一缺陷是否是所述至少一个第一缺陷区域的起因。
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