[发明专利]用于半导体集成电路设备的缺陷分析方法和缺陷分析系统

权利要求书

1.一种缺陷分析方法，包括：

在数据库中存储至少一个第一缺陷和至少一个关联的模拟特性；

定位第一晶片中的第一缺陷区域；

测量所述第一缺陷区域中的至少一个第一缺陷位的至少一个模拟特性；以及

将至少一个测得的模拟特性同至少一个存储的模拟特性比较，以确定所述至少一个第一缺陷是否是所述至少一个第一缺陷区域的起因。

2.如权利要求1所述的方法，进一步包括：

定位第二晶片中的第二缺陷区域，

确认该第二缺陷区域中的至少一个第二缺陷位，

测量所述至少一个第二缺陷位的至少一个模拟特性，

使所述至少一个第二缺陷位和至少一个测得的模拟特性同所述至少一个第一缺陷相关联；其中

所述存储：将所述至少一个第一缺陷和关联的至少一个测得的模拟特性存储在数据库中。

3.如权利要求2所述的方法，其中，所述关联进一步包括：

对电路进行建模，该电路指示所述至少一个第一缺陷，以及

基于通过对仿真该建模的电路所获得的模拟特性和关于所述至少一个第二缺陷位的至少一个测得的模拟特性进行的比较，使所述至少一个第一缺陷同所述至少一个第二缺陷位相关联。

4.如权利要求2所述的方法，其中，定位所述第二晶片中的所述第二缺陷区域包括：

在该第二晶片上执行电气测试以确定所述至少一个第二缺陷位的位置，所述电气测试是在制造所述第二晶片之后执行。

5.如权利要求4所述的方法，进一步包括：

执行物理分析以确定所述至少一个第一缺陷的位置，所述物理分析是在制造所述第二晶片之后执行。

6.如权利要求5所述的方法，其中，所述测量：对具有与所述至少一个第一缺陷的位置相匹配的位置的所述至少一个第二缺陷位的至少一个模拟特性进行测量。

7.如权利要求4所述的方法，进一步包括：

在第二晶片的制造过程中在第二晶片上执行缺陷检验，以确定在第二晶片上形成的至少一个第一缺陷的位置。

8.如权利要求7所述的方法，其中，所述测量：对具有与所述至少一个第一缺陷的位置相匹配的位置的所述至少一个第二缺陷位的至少一个模拟特性进行测量。

9.如权利要求1所述的方法，其中，定位所述第一晶片中的所述第一缺陷区域包括：

执行电气测试以确定至少一个第一缺陷位的位置，所述电气测试是在制造所述第一晶片之后执行。

10.如权利要求1所述的方法，其中，所述至少一个第一缺陷位是静态随机存取存储器单元，并且测量所述至少一个第一缺陷位的所述至少一个模拟特性包括：

测量所述静态随机存取存储器单元中包括的至少一个晶体管的至少一个模拟特性。

11.如权利要求10所述的方法，其中，测量所述至少一个晶体管的所述至少一个模拟特性包括：

将第一电压施加到第一位线、第二位线和字线，并且测量流入到所述至少一个晶体管中的电流。

12.如权利要求1所述的方法，其中，测量所述至少一个第一缺陷位的所述至少一个模拟特性包括：

从第一缺陷区域中的多个第一缺陷位中选择至少一个第一缺陷位，并且

测量关于选定的至少一个第一缺陷位的至少一个模拟特性。

13.如权利要求1所述的方法，进一步包括，

基于所述至少一个第一缺陷的尺寸和第一比率来确认所述第一缺陷区域的起因。

14.如权利要求13所述的方法，其中，如果所述第一缺陷的尺寸大于第一比率，则所述第一缺陷是所述第一缺陷区域的起因。