[发明专利]等离子体处理装置、聚焦环和基座有效

专利信息
申请号: 200810001389.6 申请日: 2004-04-23
公开(公告)号: CN101303998A 公开(公告)日: 2008-11-12
发明(设计)人: 远藤升佐;岩渕纪之;加藤茂昭;大久保智也;广瀬润;长仓幸一;輿水地盐;传宝一树 申请(专利权)人: 东京毅力科创株式会社
主分类号: H01L21/68 分类号: H01L21/68;H01L21/205;H01L21/3065;C23F4/00;C30B25/12
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人: 龙淳
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明设置一种具有聚焦环的等离子体处理装置,使聚焦环的冷却效果得到极大的提高,同时防止费用的增加。等离子体处理装置包括一个具有静电卡盘的基座和聚焦环。要进行等离子体处理的晶片W被载置于静电卡盘上。聚焦环具有介电材料部分和导体材料部分。介电材料部分形成了与静电卡盘接触的接触部分。导体材料部分与静电卡盘相面对并有介电材料部分存在于其间。
搜索关键词: 等离子体 处理 装置 聚焦 基座
【主权项】:
1.一种等离子体处理装置,其特征在于,包括:收容被处理基板的处理容器;设置在所述处理容器内并载置所述被处理基板的载置台;向所述处理容器内供给规定的处理气体的处理气体供给机构;使所述处理气体等离子体化的等离子体发生机构;和以包围所述被处理基板的周围的方式配置的聚焦环,其包括形成为环状的下侧部件、和形成为环状并配置在所述下侧部件的上方的上侧部件,在所述下侧部件与所述上侧部件之间形成有成为所述处理气体的气体流路的间隙。
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