[发明专利]等离子体处理装置、聚焦环和基座

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：

收容被处理基板的处理容器；

设置在所述处理容器内并载置所述被处理基板的载置台；

向所述处理容器内供给规定的处理气体的处理气体供给机构；

使所述处理气体等离子体化的等离子体发生机构；和

以包围所述被处理基板的周围的方式配置的聚焦环，其包括形成为环状的下侧部件、和形成为环状并配置在所述下侧部件的上方的上侧部件，所述下侧部件覆盖所述载置台的周边部，使所述载置台的周边部没有露出部分，在所述下侧部件上，隔着间隙支承所述上侧部件，所述间隙形成气体流路所述间隙的宽度为0.5mm以上、2.5mm以下。

2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述上侧部件相对所述下侧部件可自由装卸。

3.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述间隙的宽度能够改变。

4.一种聚焦环，其以包围被处理基板的周围的方式配置在等离子体处理装置的处理容器内，其特征在于，包括：

形成为环状的下侧部件、和形成为环状并配置在所述下侧部件的上方的上侧部件，

所述下侧部件覆盖所述载置台的周边部，使所述载置台的周边部没有露出部分，在所述下侧部件上，隔着间隙支承所述上侧部件，所述间隙形成气体流路，所述间隙的宽度为0.5mm以上、2.5mm以下。

5.一种聚焦环，其以包围被处理基板的周围的方式配置在等离子体处理装置的处理容器内，其特征在于，包括：

形成为环状的下侧部件；

形成为环状并配置在所述下侧部件的上方的上侧部件；

设置于所述下侧部件和所述上侧部件的用于插入销的孔；和插入所述孔的销，

利用在所述下侧部件的上表面突出设置的所述销，在所述下侧部件的上方，隔着间隙支承所述上侧部件，所述间隙形成气体流路，所述间隙的宽度为0.5mm以上、2.5mm以下。

6.如权利要求4或5所述的聚焦环，其特征在于，所述上侧部件相对所述下侧部件可自由装卸。

7.如权利要求4或5所述的聚焦环，其特征在于，所述间隙的宽度能够改变。

8.一种等离子体处理方法，其使用在等离子体处理装置的处理容器内以包围被处理基板的周围的方式配置的聚焦环，进行所述被处理基板的等离子体蚀刻，其特征在于，

所述聚焦环包括形成为环状的下侧部件和形成为环状并配置在所述下侧部件的上方的上侧部件，所述下侧部件覆盖所述载置台的周边部，使所述载置台的周边部没有露出部分，在所述下侧部件上，隔着间隙支承所述上侧部件，所述间隙形成气体流路，

在没有所述聚焦环的间隙的情况下，在所述被处理基板的周边部的蚀刻率比中央部的蚀刻率低的等离子体蚀刻中使用所述聚焦环，

所述间隙的宽度为0.5mm以上、2.5mm以下。

9.一种等离子体处理方法，其使用在等离子体处理装置的处理容器内以包围被处理基板的周围的方式配置的聚焦环，进行所述被处理基板的等离子体蚀刻，其特征在于，

所述聚焦环包括：形成为环状的下侧部件、形成为环状并配置在所述下侧部件的上方的上侧部件、设置于所述下侧部件和所述上侧部件的用于插入销的孔、和插入所述孔的销，

利用在所述下侧部件的上表面突出设置的所述销，在所述下侧部件的上方，隔着间隙支承所述上侧部件，所述间隙形成气体流路，

在没有所述聚焦环的间隙的情况下，在所述被处理基板的周边部的蚀刻率比中央部的蚀刻率低的等离子体蚀刻中使用所述聚焦环，

所述间隙的宽度为0.5mm以上、2.5mm以下。

10.如权利要求8或9所述的等离子体处理方法，其特征在于，使用所述上侧部件相对所述下侧部件可自由装卸的所述聚焦环。

11.如权利要求8或9所述的等离子体处理方法，其特征在于，使用所述间隙的宽度能够改变的所述聚焦环。