[发明专利]Ⅲ族氮化物半导体层的制造方法以及Ⅲ族氮化物半导体发光元件和灯无效
| 申请号： | 200780045961.2 | 申请日： | 2007-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN101558502A | 公开（公告）日： | 2009-10-14 |
| 发明（设计）人： | 篠原裕直;酒井浩光 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 段承恩;田 欣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的是提供一种可获得能够很好地用于内部量子效率和光取出效率优异的发光元件的形成的结晶性优异的III族氮化物半导体层的制造方法。根据本发明，可提供一种III族氮化物半导体层(103)的制造方法，该制造方法在基板(101)上形成单晶的III族氮化物半导体层(103)，其中，该制造方法具有：通过在基板(101)的(0001)C面上形成由与所述C面不平行的表面(12c)构成的多个凸部(12)，从而在所述基板(101)形成由平面(11)和所述凸部(12)构成的上面(10)的基板加工工序，所述平面由所述C面构成；和在所述上面(10)上外延生长所述III族氮化物半导体层(103)，由所述III族氮化物半导体层(103)掩埋所述凸部(12)的外延工序。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 制造 方法 以及 发光 元件 | ||
【主权项】：
1、一种III族氮化物半导体层的制造方法，在基板上形成单晶的III族氮化物半导体层，该制造方法的特征在于，具有：基板加工工序，通过在基板的(0001)C面上形成由与所述C面不平行的表面构成的多个凸部，从而在所述基板上形成由平面和所述凸部构成的上面，所述平面由所述C面构成；和外延工序，在所述上面上外延生长所述III族氮化物半导体层，由所述III族氮化物半导体层掩埋所述凸部。
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