[发明专利]半导体装置及其驱动方法有效
| 申请号： | 200780038121.3 | 申请日： | 2007-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN101523614A | 公开（公告）日： | 2009-09-02 |
| 发明（设计）人： | 森田竜夫;柳原学;石田秀俊;上本康裕;上野弘明;田中毅;上田大助 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/80 | 分类号： | H01L29/80;H01L21/337;H01L21/338;H01L29/778;H01L29/808;H01L29/812 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置及其驱动方法。该半导体装置包括：形成在衬底(11)上、具有沟道区域的半导体层叠层体(13)，在半导体层叠层体(13)上相互有间隔地形成的第一电极(16A)和第二电极(16B)，形成在第一电极(16A)和第二电极(16B)之间的第一栅电极(18A)，以及形成在第一栅电极(18A)和第二电极(16B)之间的第二栅电极(18B)。在半导体层叠层体(13)和第一栅电极(18A)之间形成有具有p型导电性的第一控制层(19A)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 驱动 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体装置，其中：该半导体装置包括：半导体层叠层体，形成在衬底上、具有沟道区域，第一电极与第二电极，相互间有间隔地形成在所述半导体层叠层体上，第一栅电极与第二栅电极，该第一栅电极形成在所述第一电极与所述第二电极之间，该第二栅电极形成在该第一栅电极和所述第二电极之间，以及第一控制层，形成在所述半导体层叠层体与所述第一栅电极之间、具有p型导电性。
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